权威媒体曝光:国产28nm浸润式光刻机,有望年底交付

众所周知,在芯片产业链中,光刻机是所有设备中,比较关键的一个。

最重要的是,这个光刻机技术,国内落后国际水平实在太远了。ASML的光刻机已经实现了3nm工艺,是EUV光刻机。


(资料图片仅供参考)

而国内最先进的光刻机,还是上海微电子的SSA600系列,精度仅为90nm,连浸润式光刻机,都研发不出来。

也正因为如此,所以ASML一直在光刻机上卡我们脖子,也让我们的芯片制造因为缺少光刻机,而停留在成熟工艺上,迈不进10nm,以及7nm。

所以一直以来,大家都希望国产光刻机能够突破,进入到28nm阶段,因为一旦实现28nm,就意味着拥有了浸润式光刻机,实际不仅仅是能生产28nm芯片,进行多次曝光之后,甚至有可能达到7nm。

而近日,权威媒体曝光了一个重大消息,那就是国产28nm光刻机,有望年底交付。

什么是权威媒体,当然不是一些自媒体,而是新华网这个官媒,新华网是国家通讯社新华社旗下的媒体,当然是非常权威的。

如下图所示,新华网将新光刻机的型号等都公布出来了,是SSA/800-10W,并表示预计在年底国产,是一台28nm浸没式(浸润式)光刻机。

而浸润式光刻机,目前有三种多重曝光技术,分别是LELE、LFLE、SADP,最高确实能够生产7nm的芯片。

比如ASML目前在售的三种浸润式光刻机,实际都能实现7nm芯片的光刻,哪怕是相对最成熟的NXE:1980Di,也可以用于7nm芯片制造。

而从普通的干式光刻机,到浸润式光刻机,是一个质的飞跃,要知道目前全球仅ASML、尼康两家能制造浸润式光刻机,佳能都不行,如果我们真的能够制造浸润式光刻机了,这是不是一个好消息了?

甚至想的更远一点,如果这台28nm的光刻机,能够制造7nm芯片,可能都会对当前的芯片禁令产生巨大的影响。

因为目前的芯片禁令,针对的逻辑芯片是14nm及以下的芯片,如果国产光刻机能够实现7nm,这个芯片禁令或许就要被撕开一个口子了,是不是意义重大?

当然,任何东西在没有真正量产交付之前,我们还是要持怀疑态度的,因为这个28nm光刻机的消息,传了好几年了,但一直只在传说中,没有真正见到过。

那么接下来,就只有让我们拭目以待了,看看他到底什么时候量产交付,又能生产出多少纳米的芯片。

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