Storage-8---eMMC时序和参数
引言：因为MMC接口允许轻松地与任何微处理器与MMC主机集成，并且嵌入式MMC控制器将Nand技术与主机隔离，所以对Nand的任何修订或修改对主机来说都是不可见的，也不需要关注，所有这些都实现了更快的产品开发和更快的上市时间。但要想实现eMMC的高可靠性，需要严格测试eMMC的信号质量，并满足JEDEC发布的标准。
1.引脚
(资料图)
数据总线宽度：1位（默认）、4位和8位
MMC I/F 时钟频率：0 ~ 200MHz
MMC I/F 启动频率：0 ~ 52MHz
CLK：时钟输入
Data Strobe：HS400模式的新配值引脚，数据选通从eMMC生成到主机。在HS400模式下，读取数据和CRC响应与数据选通同步
CMD：用于设备初始化和命令传输的双向信号，命令操作有两种模式，开漏进行初始化和推拉快速传输命令
DAT0-7：双向数据通道，它以推拉模式运行
RST_N：H/W复位信号引脚
VDDF(VCC)：提供闪存存储器的电源电压
VDD(VCCQ)：存储器控制器的电源电压
VDDI：内部功率节点，以稳定调节器输出到控制器的核心逻辑
VSS：接地连接
RFU：保留供将来使用，不要用作任何用途
图8-1：eMMC结构
2.传输模式和HS400 MODE
在时钟的每个周期都会指示传输：在命令线上每个时钟周期进行1位传输；在数据线上，SDR模式下所有数据线传输1位，DDR模式下所有数据线传输2位（分别在上升沿和下降沿），时钟频率可在最小和最大时钟频率之间变化（0-200MHZ）。
图8-2：DDR状态下的4-data-wire模式
HS400模式提高顺序带宽，特别是顺序读取性能，支持DDR数据采样方法，CLK频率最高可达200MHz，但只有8位的总线宽度可用，信号电平1.8V，理论上，读取高达400MB/s，写入200MB/s。
图8-3：eMMC的总线速度模式
图8-4表示I/O驱动程序强度类型（EXT_CSD寄存器：DRIVER_STRENGTH [197]）
图8-4：eMMC的HS400模式五种驱动强度
1#：HS200和HS400设备必须支持0型驱动程序。
2#：当VCCQ=1.8 V时，标称阻抗由输出驱动器在0.9 V时的I-V特性定义。
3#：当VCCQ=1.2 V时，标称阻抗由0.6 V时输出驱动器的I-V特性定义。
0型驱动程序被定义为eMMC HS200和HS400设备的强制性驱动程序，另有四个驱动程序类型（1、2、3和4）被定义为可选，以允许支持更广泛的主机负载。主机可以选择设备的最合适的驱动器类型（如果支持）以实现最佳信号完整性性能。
注：1.8V信号电平和1.2V信号电平的驱动强度定义相同。
0型驱动器适用于传输线，基于50Ω标称线路的分布式系统阻抗，因此，它被定义为50Ω标称驱动器。
对于HS200，当使用CL=15pF驱动器进行测试时，0型驱动器应满足所有交流特性
对于HS400，当使用JESD84-B51中定义的参考负载、驱动器类型0或驱动器类型1或4型驱动器应满足所有交流特性和HS400设备输出。
如果设备支持可选的驱动程序类型，主机可以使用它们来优化其系统，因此主机设计者可以使用设备驱动程序模型来模拟其特定系统。主机可以选择最佳驱动程序类型，该类型可以以所需的操作频率驱动主机系统负载产生最小的噪声，这一点在优化信号质量和EMC方面特别有效。
Driver_STRENGTH[197]中指出了设备支持的驱动程序类型级别扩展CSD寄存器的字段。主机通过将（通过CMD6）写入扩展CSD寄存器的HS_TIMING[185]字节中的“选定驱动器强度”字段。
图8-5列举了eMMC5.1新功能：
图8-5：eMMC5.1功能
3.启动时长
eMMC不仅支持引导模式，而且还支持替代引导模式，支持高速定时和双数据速率。eMMC启动时间轴回看：Digital series-Storage-7：eMMC基础知识-2。
图8-6：启动程序、启动数据和初始化时间
图8-7：eMMC的性能指标
图8-7是在测试条件：总线宽度x8，HS400，512KB数据包传输下实测的eMMC顺序读取和顺序写入的速度。
4.时序
图8-8：总线SDR时序---数据必须始终在时钟的上升边缘进行采样
图8-9：总线SDR时序参数要求
在配置为双数据模式操作时的DAT[7：0]信号，DAT信号与CLK的上升边缘和下降边缘同步运行。CMD信号仍然与CLK的上升边缘同步运行，因此CMD信号没有定时变化。
图8-10：总线DDR时序---DAT[7：0]行上的数据在时钟的两边进行采样
图8-11：总线DDR时序参数要求
如上只是SDR/DDR时序，关于HS400等等模式下的总线定时规范，可以参阅eMMC v5.1的JEDEC官方权威文档JESD84-B51。
5.总线电平
总线信号电平，部分器件总线供电支持3.3V或者1.8V，因此所有的信号电平都与电源电压有关。
图8-12：总线信号电平上下阈值
图8-13：开漏模式总线信号电平
由于Voh取决于外部电阻值（包括软件包外部），因此此值不适用于设备规范。主机负责选择外部上拉和开漏电阻值，以满足Voh最小值。
eMMC输入和输出电压的允许电压范围应在以下规定范围内：
图8-14：推拉信号电平-3.3V eMMC
图8-15：推拉信号电平-1.70-1.95 VCCQ电压范围
其中0.7×VCCQ，适用于MMC4.3及更旧版本，0.3×适用于MMC4.3及更旧版本的0.3×VCCQ。
6.功耗
在配置系统电源树时，eMMC的功耗是一个需要考虑的点，在功率测量条件：总线配置=x8@200MHz DDR最大RMS电流的测量为100ms周期内的平均RMS电流消耗下，eMMC各种状态下的功耗如下：
图8-16：不同容量eMMC运行期间的典型功耗
从图8-16可知，eMMC容量越大，运行功耗越高，一个32GB的eMMC，考虑3.3V供电，则功耗P=3.3×0.38=1.254W，那么就需要选择满足可以持续输出400mA的电源IC。
图8-17：不同容量eMMC待机状态下的典型功耗（巡检读取激活）
图8-18：不同容量eMMC待机状态下的典型功耗（巡检读取失能）
图8-19：不同容量eMMC睡眠状态下的睡眠功耗
注意在睡眠模式下，Nand电源可以关闭，如果Nand电源被激活，则Nand电源与待机状态相同。
7.总线信号线负载
eMMC总线的每条线路的总电容CL为总线主电容CHOST、总线电容CBUS本身和与该线路连接的eMMC的电容器件之和：
主机和总线电容之和应在20pF以下，这几个参数对eMMC的Layout有比较严格的要求。
图8-20：eMMC关键R/C参数
图8-21：HS400模式下的电容和电阻
8.如何在系统板上连接eMMC
图8-22：eMMC互连示例
1#：利用去耦电容滤除VCC/VCCQ电源噪声
2#：CMD和DATA[7:0]始终通过系统板上的电阻进行上拉，以防止总线浮动
3#：如果总线使用H/W复位，RSTN也上拉
4#：SR_DS和SR_CLK采用串联电阻稳定信号
关键词：
